Peneliti : Muhammad Syaufin Nizar dan Ayu Ratnasari

Abstrak

Perkembangan teknologi saat ini membutuhkan semikonduktor dengan performa yang tinggi dan mengarah kepada fabrikasi transistor dengan ukuran posisi node dibawah 14nm, SiC 3C mampunyai potensi untuk dijadikan semikonduktor untuk menggantikan semikonduktor berbasis silikon karena memiliki sifat tahan temperatur tinggi dan memiliki celah pita energi yang lebar. Sifat listrik bahan pada skala nano masih harus banyak penelitian yang perlu dilakukan supaya bisa dipakai sebagai bahan semikonduktor. Dengan menggunakan prinsip pertama, sifat listrik suatu bahan pada ukuran skala nano dapat diprediksi dengan simulasi komputasi. Sifat elektronik lapisan tunggal nano SiC 3C lapisan nano tunggal dengan ukuran 1,3 x 1,3 nm ukuran sel kristal 3x3x1 didapatkan celah pita energi sebesar 1.7 eV mirip dengan semikonduktor tipe p dengan pita konduksi minimum berada 8 eV diatas pita valensi

Kata Kunci: SiC 3C,lapisan nano tunggal,semikonduktor,prinsip pertama,density of states,struktur pita energi.